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VSP005NE8HS-G
N沟道,电流:56A,耐压:85V
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- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VSP005NE8HS-G
- 商品编号
- C3036323
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 695pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
DY 20N60WS是一款高压功率MOSFET，采用先进的超结技术制造。由此生产的器件具有极低的导通电阻、低栅极电荷和快速开关时间，特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。 20N60WS的击穿电压为600V，具有高抗雪崩特性。20N60WS提供TO - 263、ITO - 220、TO - 220、TO - 262封装。
商品特性
- 增强型
- 极低导通电阻
- VitoMOS II 技术
- 快速开关与高效率
- 100%雪崩测试,100%栅极电阻(Rg)测试
- PDFN5x6 封装
- 无铅
- 无卤
应用领域
- LED照明电源-电视电源-高功率AC/DC电源