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VSP005NE8HS-G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VSP005NE8HS-G

N沟道,电流:56A,耐压:85V

品牌名称
Vergiga(威兆)
商品型号
VSP005NE8HS-G
商品编号
C3036323
商品封装
DFN-5(5.9x4.9)​
包装方式
编带
商品毛重
0.17克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)56A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)14W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.6V@250uA
栅极电荷量(Qg)57nC@10V
输入电容(Ciss)4.21nF@40V
反向传输电容(Crss)20pF@40V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

DY 20N60WS是一款高压功率MOSFET,采用先进的超结技术制造。由此生产的器件具有极低的导通电阻、低栅极电荷和快速开关时间,特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。 20N60WS的击穿电压为600V,具有高抗雪崩特性。20N60WS提供TO - 263、ITO - 220、TO - 220、TO - 262封装。

商品特性

  • 超低RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = 10 V
  • 超低栅极电荷,Qg = 25.3nC(典型值)
  • 快速开关能力
  • 稳健设计,具有更好的EAS性能
  • 改善EMI

应用领域

  • LED照明电源-电视电源-高功率AC/DC电源

数据手册PDF