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VS4620GEMC
40V, 36A N沟道 Advanced Power MOSFET
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- 描述
- 40V, 36A N沟道 Advanced Power MOSFET
- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VS4620GEMC
- 商品编号
- C3036316
- 商品封装
- PDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品概述
HXY50P03NF采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 增强型
- VitoMOS II 技术
- 快速开关且高效
- 100% 雪崩测试
- 无铅
- 无卤素
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理