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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.83nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY30N03DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V
- ID = 30A
- RDS(ON) < 13mΩ @ VGS = 10V
应用领域
-直流电机驱动器-DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
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