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AOSD32334C
2个N沟道 耐压:30V
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOSD32334C
- 商品编号
- C3035872
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.205167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY30G20DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 16A
- 栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 20mΩ
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -14A
- 栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 30mΩ
应用领域
-非常适合用作负载开关
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