商品参数
参数完善中
商品概述
NX3P191是一款高端负载开关,采用低导通电阻P沟道MOSFET。它具备输入浪涌电流抑制功能,可支持超过500 mA的连续电流。该器件还集成了输出放电电阻,在禁用时可对输出电容进行放电。其工作电压范围为1.1 V至3.6 V,适用于电源域隔离应用,可降低功耗并延长电池使用寿命。使能逻辑集成了逻辑电平转换功能,使该器件能与低电压处理器和控制器兼容。由于接地电流低且关断电流超低,NX3P191非常适合便携式电池供电应用。
商品特性
- 宽电源电压范围:1.1 V至3.6 V
- 极低导通电阻:
- 电源电压为1.8 V时,典型值为95 mΩ
- 高抗噪性
- 使能端(EN)为低电平时进入低功耗模式
- 低接地电流(最大2 μA)
- 电源电压为3.6 V时,控制逻辑电压为1.2 V
- 高电流处理能力(连续电流500 mA)
- 内置输出放电电阻
- 开启压摆率限制
- ESD保护:
- 人体模型(HBM)JESD22 - A114F 3A级超过4000 V
- 带电器件模型(CDM)AEC - Q100 - 011修订版B超过500 V
- 工作温度范围:-40 ℃至+85 ℃
应用领域
- 手机
- 数码相机和音频设备
- 便携式和电池供电设备
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