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CJU12P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- CJU12P06具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，可在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJU12P06
- 商品编号
- C3031880
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 96mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
WMB060N10LGS采用了威昂（Wayon）的第二代功率沟槽MOSFET技术，该技术经过特别设计，可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 95 A
- 当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(on)） < 6 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 4.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 9 mΩ
- 提供环保器件
- 栅极电荷低
- 100%保证抗雪崩能力
应用领域
- 电源管理开关
- DC/DC转换器
- LED背光