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CJU30N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 这款先进的高压MOSFET旨在承受雪崩模式下的高能量，并实现高效开关。这种新型高能量器件适用于高电压、高速开关应用，如电源、转换器、动力电机控制和桥接电路。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJU30N10
- 商品编号
- C3031908
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45084克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 216pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 236pF |
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
-硬开关和高频电路-不间断电源-功率开关应用