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HYG090N06LS1P
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:62A
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- 描述
- 特性：60V/62A-RDS(ON) = 8.1mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 RDS(ON) = 11.8mΩ (typ.) @ VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤设备（符合RoHS标准）。应用：高频负载点同步降压转换器。 电动工具应用
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG090N06LS1P
- 商品编号
- C3025194
- 商品封装
- TO-220FB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.002nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP20G04GD采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 60V/62A
- RDS(ON) = 8.1 m Ω (典型值),VGS = 10V
- RDS(ON) = 11.8 m Ω (典型值),VGS = 4.5V
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器
- 电动工具应用
- 网络直流-直流电源系统