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HYG020N06LS1P
单N沟道,电流:210A,耐压:60V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG020N06LS1P
- 商品编号
- C3025197
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.236nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP13P20P是硅P沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- 60V/210A
- RDS(ON) = 2mΩ(典型值)@ VGS = 10V
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅器件(符合RoHS标准)
应用领域
-直流-直流开关模式电源-电池管理系统-逆变器-电镀电源