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HY1720W
N沟道 耐压:200V 电流:64A
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- 描述
- 特性：200V/64A。 RDS(ON) = 27 mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤和环保器件（符合 RoHS 标准）。应用：功率开关应用。 不间断电源
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1720W
- 商品编号
- C3025195
- 商品封装
- TO-247A-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 263W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.816nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 206pF |
商品概述
AP4P20F是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- 200V/64A
- RDS(ON) = 27 mΩ(典型值)@ VGS = 10V
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-功率开关应用-不间断电源
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