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TSF10N60M实物图
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TSF10N60M

1个N沟道 耐压:600V 电流:10A

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描述
N沟道,600V,10A,0.8Ω
品牌名称
Truesemi(信安)
商品型号
TSF10N60M
商品编号
C382371
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.76克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))800mΩ@10V
耗散功率(Pd)52W
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)48nC
输入电容(Ciss)1.65nF
反向传输电容(Crss)18pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)165pF

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