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TSD5N65M
1个N沟道 耐压:650V 电流:3A
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- 描述
- N沟道，650V，3A，3.0Ω
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSD5N65M
- 商品编号
- C382376
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.456克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用东微半导（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 3.0A、650V，VGS = 10V时，最大RDS(on)=3.0 Ω
- 低栅极电荷（典型值16nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关模式电源-基于半桥拓扑的有源功率因数校正