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TSF12N60M
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 描述
- N沟道，600V，12A，0.7Ω
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSF12N60M
- 商品编号
- C382372
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用TrueSemi先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计,可最大程度降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 12A、600V,最大 RDS(on) = 0.7 Ω(VGS = 10 V 时)
- 低栅极电荷(典型值52nC)
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器