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HRG100N068GL
100V N沟道 MOSFET,电流:85A,耐压:100V
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- 品牌名称
- HRmicro(华瑞微)
- 商品型号
- HRG100N068GL
- 商品编号
- C3024499
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.1nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.9pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用先进沟槽技术设计的N沟道SGT功率MOSFET。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on),可大幅降低开关和传导损耗。因此,它非常适用于DC/DC转换器,是高频开关和同步整流的理想选择。
商品特性
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 无铅引脚镀层
应用领域
-DC/DC转换器-适用于高频开关和同步整流