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KNY3303A
1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- 这款功率 MOSFET 采用 KIA 先进的平面条形 DMOS 技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNY3303A
- 商品编号
- C382144
- 商品封装
- PDFN-8(5.8x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品特性
- 高耐用性
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）（典型值1.2Ω）@栅源电压（VGS）= 10V
- 低栅极电荷（典型值30nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
-发光二极管(LED)-充电器-电视电源