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KND3203B
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 特性：RDS(on)=3.1mΩ@ VGS=10V。 使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的QxRDS(on)乘积(FOM)。 通过JEDEC标准认证。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KND3203B
- 商品编号
- C382145
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 101W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.34nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 305pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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