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STD35NF06L(UMW)
1个N沟道 耐压:60V 电流:35A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 35A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 16mΩ (VGS = 4.5V)。 先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 获得无铅产品认证
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- STD35NF06L(UMW)
- 商品编号
- C3020378
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V；16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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