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SW4N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 描述
- N沟道，600V，4A，2Ω@10V
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SW4N60
- 商品编号
- C381523
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC | |
| 输入电容(Ciss) | 586pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 71pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，如快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- RDS(ON)(典型值2.0 Ω)@VGS = 10 V
- 栅极电荷(典型值17nC)
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
-LED-充电
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