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SW4N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- N沟道，650V，4A，2Ω@10V
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SW4N65
- 商品编号
- C381525
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 758pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优异的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压为10 V时，漏源导通电阻低（典型值1.0 mΩ）
- 低栅极电荷（典型值37 nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
-电子镇流器-电机控制-同步整流-逆变器