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TMCS1133A1AQDVGR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TMCS1133A1AQDVGR

具有增强型隔离工作电压、过流检测和环境磁场抑制功能的精密1MHz霍尔效应电流传感器

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描述
TMCS1133是一款电隔离霍尔效应电流传感器,具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压,且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下,在温度和寿命范围内实现小于 1.4% 的最大灵敏度误差,或在一次性室温校准的情况下,实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差(包括寿命和温度漂移)。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
TMCS1133A1AQDVGR
商品编号
C33544545
商品封装
SOIC-10​
包装方式
编带
商品毛重
0.76克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录电流传感器
电流测量范围±96A
工作电压5V
隔离电压(Vrms)5kVrms
灵敏度25mV/A
工作温度-40℃~+125℃
属性参数值
带宽1.1MHz
电流端电阻0.7mΩ
响应时间(tr)120ns
双向电流检测支持
功能特性过流保护;双向检测

商品概述

TMCS1133 是一款电隔离霍尔效应电流传感器,具有出色的隔离功能和精度。该器件提供与输入电流成正比的输出电压,且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下,在温度和寿命范围内实现小于1.4% 的最大灵敏度误差,或在一次性室温校准的情况下,实现小于 0.9% 的最大灵敏度误差(包括寿命和温度漂移)。交流或直流输入电流流经内部导体,所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±96A,同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS,加上最小 8mm 的爬电距离和间隙,可提供高电平的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行,因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。

商品特性

  • 高持续电流能力:80A RMS
  • 可靠的增强型隔离
  • 高精度
  • 灵敏度误差:±0.1%
  • 灵敏度热漂移:±20ppm/℃
  • 灵敏度寿命漂移:±0.2%
  • 失调电压误差:±0.2mV
  • 偏移热漂移:±10μV/℃
  • 偏移寿命漂移:±0.2mV
  • 非线性:±0.1%
  • 对外部磁场具有高抗扰度
  • 快速响应
  • 信号带宽:1MHz
  • 响应时间:120ns
  • 传播延迟:50ns
  • 过流检测响应:100ns
  • 工作电源电压范围:3V至5.5V
  • 双向和单向电流检测
  • 多个灵敏度选项,范围为 20mV/A 至 150mV/A
  • 获得UL1577组件认证
  • 获得IEC/CB 62368-1认证

应用领域

  • 太阳能
  • 电动汽车充电
  • 电源
  • 工业交流/直流电源