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4N35
DC 5kV
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- 描述
- 4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38 系列产品采用 AlGaAs 红外发光二极管作为发射极，该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，封装形式为塑料 DIP6 封装，引脚成型方式多样。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- 4N35
- 商品编号
- C3014310
- 商品封装
- DIP-6
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.4V | |
| 输出电流 | 80mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 80V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 上升时间(tr) | 12us | |
| 下降时间 | 12us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 100% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 100% | |
| 正向电流(If) | 50mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
该系列器件将AlGaAs红外发射二极管作为发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，采用塑料DIP6封装，并提供不同的引脚成型选项。
商品特性
- 高绝缘强度 5000V_RMS
- 直流输入，晶体管输出
- 工作温度范围 -55°C 至 110°C
- 符合RoHS与REACH法规
- MSL等级1
- 通过UL认证：UL1577，档案号E547318
应用领域
- 序列控制器
- 电话/传真
- 系统设备
- 测量仪器
- 可编程逻辑控制器