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RJH65T14DPQ-A0#T0
650V、50A IGBT
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- 描述
- 特性：针对电流谐振应用进行优化。 低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.45 V（典型值，IC = 50 A，VGE = 15 V，Ta = 25℃）。 单封装内集成快速恢复二极管。 采用沟槽栅和薄晶圆技术。应用：感应加热。 微波炉
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJH65T14DPQ-A0#T0
- 商品编号
- C3014313
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输出电容(Coes) | 69pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 100A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.75V@50A,15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.75nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 38ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 125ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 250ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 34pF |
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