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RQK0204TGDQATL-H
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- 特性：低导通电阻：RDS(on) = 100 mΩ（典型值，VGS = 4.5V，ID = 1.2A）。 低驱动电流。 高速开关。 2.5V栅极驱动
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RQK0204TGDQATL-H
- 商品编号
- C3014315
- 商品封装
- SC-59A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 127pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 33pF |
商品概述
AP2080Q系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种适用于广泛电源应用的高效器件。
商品特性
- 低导通电阻
- RDS(导通) = 100 mΩ(典型值,VGS = 4.5 V,ID = 1.2 A)
- 低驱动电流
- 高速开关
- 2.5 V栅极驱动