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JMTP110N06A
N沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTP110N06A
- 商品编号
- C3013680
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.605nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 191pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP20G06GD采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 60V、12A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 12 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 17 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理