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YFW5N50AMJ
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:500V 电流:5A
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- 描述
- 应用：开关电源 (SMPS)。 不间断电源 (UPS)。 功率因数校正 (PFC)
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW5N50AMJ
- 商品编号
- C3013684
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 462pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54.2pF |
商品概述
JMT P沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- VDS = -30 V，ID = -15 A
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) < 9 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 14 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理