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WNM2030

N沟道耐压:20V 电流:0.95A

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描述: 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
品牌名称: TECH PUBLIC(台舟)
商品型号: WNM2030
商品编号: C3011190
商品封装: SOT-723
包装方式: 编带
商品毛重: 0.01克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的管芯。在现有的任何表面贴装封装中，它具有最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。通孔版本（IRFBF20L、SiHFBF20L）适用于薄型应用。

商品特性

表面贴装（IRFBF20S、SiHFBF20S）
薄型通孔（IRFBF20L、SiHFBF20L）
提供卷带包装（IRFBF20S、SiHFBF20S）
动态dV/dt额定值
150°C工作温度
快速开关
完全雪崩额定

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	950mA
	导通电阻(RDS(on))	480mΩ@1.8V
	耗散功率(Pd)	150mW
	阈值电压(Vgs(th))	1V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	1.15nC@10V
	输入电容(Ciss)	50pF
	反向传输电容(Crss)	8pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	13pF