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TPM4003NES3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPM4003NES3

耐压:30V 电流:0.5A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPM4003NES3
商品编号
C3011192
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@4.5V
耗散功率(Pd)400mW
阈值电压(Vgs(th))1.7V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)780pC@10V
输入电容(Ciss)40pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)12pF

商品特性

  • 低栅极电荷Qg,驱动要求简单
  • 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
  • 对电容、雪崩电压和电流进行了全面表征
  • 规定了有效输出电容Coss

应用领域

  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源
  • 高速功率开关

数据手册PDF