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CIM3N150D3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CIM3N150D3

耐压:1500V 电流:3A

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描述
这款功率MOSFET采用先进的自对准平面技术制造。这项先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高的效率
商品型号
CIM3N150D3
商品编号
C3010929
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))8Ω@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.3nC@10V
输入电容(Ciss)1.938nF@25V
反向传输电容(Crss)2.4pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)104pF

商品特性

  • 80V/105A
  • RDS(ON) = 2.8 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V
  • 100%雪崩测试
  • 可靠耐用
  • 提供无卤器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 开关应用
  • 逆变器系统电源管理
  • 电池管理

数据手册PDF