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TK15A60U(S4PHI,Q)
N沟道 耐压:600V 电流:15A
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- 描述
- 特性：无载流子存储效应；卓越的频率和开关特性。坚固耐用，无电流集中现象。电压控制型器件，驱动功率低。易于并联连接。保证雪崩能力，可简化吸收电路。内置二极管性能改善，增强电路设计灵活性。应用：手机。笔记本电脑
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK15A60U(S4PHI,Q)
- 商品编号
- C3011029
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF |
商品概述
AP3400DI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 3.2A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 56 mΩ（典型值：45 mΩ）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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