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商品参数
参数完善中
商品概述
CS20N65F A9R是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),采用自对准平面技术制造,可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(Rdson ≤ 0.50Ω)
- 低栅极电荷(典型数据:58nC)
- 低反向传输电容(典型值:20pF)
- 100%单脉冲雪崩能量测试
- 无卤
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。