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IRF40R207
1个N沟道 耐压:40V 电流:56A
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- 描述
- 特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征了电容和雪崩 SOA。 增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF40R207
- 商品编号
- C3007638
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) = 2.65 mΩ（最大值）
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 4.3 mΩ（最大值）
- 30V/110A
- 可靠耐用
- 低Qg和Qgd，适合高速开关
- 低RDS(ON)，可将传导损耗降至最低
- 100%进行UIS + Rg测试
- 静电放电保护
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 台式计算机电源管理或DC/DC转换器