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IRF9362TRPBF
2个P沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- 特性：行业标准SO-8封装。 符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 多供应商兼容。 更环保。应用：笔记本电脑电池充放电开关
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF9362TRPBF
- 商品编号
- C3007639
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征了电容和雪崩安全工作区 (SOA)
- 增强了体二极管的 dV/dt 和 dl/dt 能力
- 无铅，符合 RoHS 标准
应用领域
-笔记本电脑电池应用的充放电开关
- CGA3E1X7R0J155KT0Y0E
- CGA3E2C0G1H562JT0Y0N
- CGA3E3C0G2E331JT0Y0N
- CGA4J3X5R1H225KT0Y0N
- MLF2012DR39JT000
- SPM5030T-3R3M
- TAJC686K010RNJ
- TPSC336M016R0300
- EGT685M1HD11RR
- EKM475M2GF12TV
- EKM685M2GF12TV
- EKM106M2DF12TV
- ERD226M2EG16RR
- ERT226M2WI20RR
- EKM476M2EI20RR
- EKM476M2DG20RR
- EKM476M2GL20RR
- EKM686M2GL20RR
- ERT686M2WK25CB
- ERT686M2GI30RRS9F
- EKM686M2WI40RR