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MOT6129G
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- MOT(仁懋)
- 商品型号
- MOT6129G
- 商品编号
- C33129540
- 商品封装
- PDFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 114A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 963pF |
商品特性
- 用于超低导通电阻（RDS(on)）的高密度单元设计
- 先进的沟槽技术
- 在栅源电压（VGS）为 -10 V 时，导通电阻（RDS(on)）小于 55 mΩ
- SOP-8 封装
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理