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MOT6522G
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- MOT(仁懋)
- 商品型号
- MOT6522G
- 商品编号
- C33129546
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V；21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 678pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
- N沟道 – 增强型 – 标准电平
- 超出AEC-Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1等级
- 175°C工作温度
- 符合RoHS标准
- 100%雪崩测试
应用领域
- 通用汽车应用。
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