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MOT6180G
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：较低的导通电阻RDS(ON)，以尽量减少传导损耗。 可靠且耐用。 符合ROHS标准且无卤。 100%进行UIS和Rg测试。应用：便携式设备和电池供电系统。 笔记本电脑的电源管理
- 品牌名称
- MOT(仁懋)
- 商品型号
- MOT6180G
- 商品编号
- C33129545
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
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