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SL2343
1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 类型 P VDSS(V) -30 ID@TC=43?C(A) -4 PD@TC=43?C(W) 0.75 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.23V 86
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL2343
- 商品编号
- C2999982
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
BL4N90是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应功率 MOSFET
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器开关
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