- 引脚图
- 焊盘图
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SL2192
N沟道,电流:12A,耐压:20V
- 描述
- 类型 N VDSS(V) 20 ID@TC=41?C(A) 12 PD@TC=41?C(W) 1.25 VGS(V) ±12 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.21V 10
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL2192
- 商品编号
- C2999991
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V,漏极电流(ID) = 12A,当栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS|ON) < 10mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 采用散热性能良好的优质封装
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备和电池供电系统