MDT10F686T08

8 位MTPCMOS 单片机 MTP 空间：2K*14 位。可经受1000 次写操作。 SRAM 空间：128 字节。 8 级深硬件堆栈 具有独立方向控制的11 个I/O 引脚：PA 口5 个、PC 口6 个 一个只能作输入的PA3 口。 高灌/拉电流可直接驱动LED。 PA 端口引脚电平变化中断。 PA、PC 端口独立的可编程弱上拉。 Timer0：带8 位可编程预分频器的8 位定时器/计数器。增强型Timer1：

• 带有预分频器的16 位定时器/计数器。
• 外部Timer1 门控（计数使能）。
• INTOSC 模式或者在LP 模式下可选择使用OSC1 和OSC2 作为Timer1 的振荡器。 3 路10bitPWM 模块
• 3 路10bit 周期相同、脉宽可调的PWM 模块 6 通道12 位ADC 6 个外部ADC 输入。 可选择ADC 启动方式。 ADC 参考电压可用软件选择为内部或外部参考。 可通过配置寄存器选择片内2V，3V，4V 或者VDD 作为参考电压。 双时钟系统 外部高速时钟：高达20MHz。内部高速时钟：16MHz RC（Fcpu 支持16Mhz、8MHz、4MHz、2MHZ、1MHZ、500KHz、250KHz）。 内部低速时钟：RC 振荡器31KHz。 高性能的RISCCPU 仅需学习35 条指令。 除跳转指令外的所有指令都是单周期的。 直接、间接和相对寻址模式。

• 高精度内部振荡器，出厂时精度校准为 +/-1% 。全温全压偏差小于 +/-2%
• 可用软件选择的频率范围为250kHz 到16MHz。
• 软件可选的31kHz 内部振荡器。
• 节能的休眠模式。
• 宽工作电压范围（2.2V 到5.5V）。
• 工业级温度范围。
• 上电复位（Powe-onReset，POR）。
• 上电延时定时器（Power-upTimer，PWRT）和振荡器起振定时器（OscillatorStart-upTimer，OST）。
• 带软件控制选择的LVR 低电压侦测选择(侦测电压有1.7V、2.1V、3.8V 可选）。
• 带片上振荡器（振荡器频率可由软件选择，当预分频比最大时其标称值为268 秒）并且可软件使能的增强型低电流看门狗定时器（WatchdogTimer，WDT）。
• 带上拉的主复位，可复用为输入引脚。
• 可编程代码保护。
• 电压为2.2V 时，典型值500nA。
• 频率为8MHz、电压为2.2V 时，典型值为500uA。
• 频率为31kHz、电压为2.2V 时，典型值为11uA。
• 看门狗定时器电流：电压为2.2V 时，典型值为1uA。
• 通过两个引脚(PA0，PA1)实现在线串行编程和调试。

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