MDT10F685S20

8 位FLASHCMOS 单片机 存储器： FLASH 空间：4K*14 位。可经受10 万次写操作。 EEPROM 空间：256 字节。可经受100 万次写操作。 SRAM 空间：256 字节。 8 级深硬件堆栈 I/O 引脚配置： 具有独立方向控制的22 个I/O 引脚：PA 口6 个、PB 口8 个、PC 口8 个。 高灌/拉电流可直接驱动LED (PA3 除外)。 PA 端口引脚电平变化中断。 PA 端口独立的可编程弱上拉（PA3 不含上拉）。 定时器： Timer0：带8 位可编程预分频器的8 位定时器/计数器。 增强型Timer1：

• 带有预分频器的16 位定时器/计数器。
• 外部Timer1 门控（计数使能）。
• 如果选择了INTOSC 模式，或者在LP 模式下可选择使用OSC1 和OSC2 作为Timer1 的振荡器。 Timer2：带2 位预分频器的16 位定时器/计数器。 增强型捕捉、比较和PWM 模块：
• 16 位捕捉模块，最大分辨率为62.5ns。
• 16 位比较模块，最大分辨率为62.5ns。
• 带一个1、2 或4 路输出通道，可编程“死区时间”的12 位PWM 模块，输出信号的最大频率为8MHz。
• 带3 个同周期输出可功能引脚转移PWM 模块 12 通道12 位ADC： 12 个外部ADC 输入。 可选择ADC 启动方式。 ADC 参考电压可用软件选择为内部或外部参考。 当选择内部参考时，可通过配置寄存器选择片内2V，3V，4V 或者VDD 作为参考电压。 两个模拟比较器： 可在片上编程的比较器的参考电压（CVREF）模块（参考电压一定是小于VDD，最低可以是0V）。 比较器输入和输出可直接访问。 双时钟系统： 外部高速时钟：高达20MHz。 内部高速时钟：16MHz RC（Fcpu 仅支持16MHz 、8MHz、4MHz、2MHZ、1MHZ、500KHz、250KHz）,5V 下校准精度±1% 内部低速时钟：RC 振荡器31KHz，5V 下校准精度 ±20% 高性能的RISC CPU： 仅需学习35 条指令。 除跳转指令外的所有指令都是单周期的。 直接、间接和相对寻址模式。 特殊特性：
• 高精度内部振荡器，出厂时精度校准为 +/-1%。
• 可用软件选择的频率范围为250kHz 到16MHz。
• 软件可选的32K 内部振荡器。
• 节能的休眠模式。
• 宽工作电压范围（2.0V 到5.5V）。
• 工业级温度范围。
• 上电复位（Powe-onReset，POR）。
• 上电延时定时器（Power-upTimer，PWRT）和振荡器起振定时器（OscillatorStart-upTimer，OST）。
• LVR 低电压复位(侦测电压有1.7V、2.1V、3.8V 可选）。
• 带片上振荡器（振荡器频率可由软件选择，当预分频比最大时其标称值为268 秒）并且可软件使能的增强型低电流看门狗定时器（WatchdogTimer，WDT）。
• 带上拉的复位脚，可复用为输入引脚。
• 可编程代码保护。 低功耗特性： 待机电流：
• 电压为2.0V 时，典型值50nA。 工作电流：
• 频率为4MHz、电压为3.3V 时，典型值为600uA。 看门狗定时器电流：
• 电压为2.0V 时，典型值为1uA。 通过两个引脚(PA0，PA1)实现在线串行编程和调试。

• 高精度内部振荡器，出厂时精度校准为 +/-1%
• 可用软件选择的频率范围为250kHz 到16MHz
• 软件可选的32K 内部振荡器
• 节能的休眠模式
• 宽工作电压范围（2.0V 到5.5V）
• 工业级温度范围
• 上电复位（Powe-onReset，POR）
• 上电延时定时器（Power-upTimer，PWRT）和振荡器起振定时器（OscillatorStart-upTimer，OST）
• LVR 低电压复位(侦测电压有1.7V、2.1V、3.8V 可选）
• 带片上振荡器（振荡器频率可由软件选择，当预分频比最大时其标称值为268 秒）并且可软件使能的增强型低电流看门狗定时器（WatchdogTimer，WDT）
• 带上拉的复位脚，可复用为输入引脚
• 可编程代码保护
• 待机电流：电压为2.0V 时，典型值50nA
• 工作电流：频率为4MHz、电压为3.3V 时，典型值为600uA
• 看门狗定时器电流：电压为2.0V 时，典型值为1uA