温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@440uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品特性
- 20V/-3.6A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 50mΩ（典型值）
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) = 60mΩ（典型值）
- 低RDS(ON)
- 超高密度单元设计
- 可靠且耐用
应用领域
- 负载开关