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SI2309S
1个P沟道 耐压:60V 电流:1.9A
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- 描述
- 先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计，实现超低导通电阻，采用SOT-23-3L表面贴装封装。
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- SI2309S
- 商品编号
- C2997263
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 215mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 364pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
- 负载开关
- 开关电路
- 高速线路驱动器
- HMB静电放电保护2KV
- 采用SOT-23表面贴装封装。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V
- 漏极电流（ID） = -4.8A
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时的导通电阻[RDS(ON)]，典型值 = 45mΩ
- 栅源电压（VGS） = -2.5V时的导通电阻[RDS(ON)]，典型值 = 65mΩ
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