温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HCS65R320S-FM
650V N沟道超结MOSFET,电流:12.3A,耐压:650V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- SemiHow
- 商品型号
- HCS65R320S-FM
- 商品编号
- C2997097
- 商品封装
- TO-220FS-FM
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@440uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NP60N03QR采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻和低栅极电荷。
商品特性
- 漏源电压 = 30 V，漏极电流 = 60 A
- 漏源导通电阻（典型值） = 4 mΩ，栅源电压 = 10 V
- 漏源导通电阻（典型值） = 6.3 mΩ，栅源电压 = 4.5 V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 负载开关