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PJA3400-AU
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:4.9A
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- 描述
- 特性：RDS(ON), VGS@10V, ID@4.9A < 38mΩ。 RDS(ON), VGS@4.5V, ID@3.5A < 44mΩ。 RDS(ON), VGS@2.5V, ID@2.7A < 60mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 通过AEC-Q101认证。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准。 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJA3400-AU
- 商品编号
- C2992439
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 深沟型功率金属氧化物半导体场效应晶体管技术
- 电压控制型小信号开关
- 输入电容低
- 开关速度快
- 输入/输出漏电小
商品特性
- 漏源极电压（VDS）60V
- 漏极电流（ ID）300m
- 导通状态下的漏源极电阻（RDS(ON)，在栅源极电压 VGS = 10V 时） < 2.5 欧姆
- 导通状态下的漏源极电阻（RDS(ON)，在栅源极电压 VGS = 4.5V 时） < 3.0 欧姆
- 静电放电（ESD）保护高达 2.0KV（人体模型 HBM）
应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
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