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PJW5N10
100V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@2.5A < 130mΩ。 RDS(ON)，VGS@6V，ID@1A < 135mΩ。 低导通电阻。 低输入电容。 符合欧盟 RoHS 2.0 的无铅标准。 符合 IEC 61249 标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJW5N10
- 商品编号
- C2992476
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.264克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 707pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
D11N20 是一款高电压功率 MOSFET，它采用了先进的沟槽型 MOSFET 技术，旨在具备更出色的特性，例如快速的开关时间、低栅极电荷、低通态电阻以及出色的抗雪崩特性。这种功率 MOSFET 通常用于开关电源的高速开关应用中。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON),栅源电压VGS为10V、漏极电流ID为2.5A时,小于130mΩ
- 漏源导通电阻RDS(ON),栅源电压VGS为6V、漏极电流ID为1A时,小于135mΩ
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物
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