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GL25N40A8
N沟道,电流:25A,耐压:400V
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- 描述
- 硅N沟道增强型VDMOSFET，通过自对准平面技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能，增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO-220，符合RoHS标准。
- 品牌名称
- GL(光磊)
- 商品型号
- GL25N40A8
- 商品编号
- C2988053
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(Rdson ≤ 0.155 Ω)
- 低栅极电荷(典型数据:60nC)
- 低反向传输电容(典型值:25pF)
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路
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