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RTR040N03FRATL
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小表面贴装封装 (TSMT3)。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 通过AEC-Q101认证。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RTR040N03FRATL
- 商品编号
- C2987913
- 商品封装
- TSMT-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 475pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 12A、680V，RDS(导通)典型值 = 0.64 Ω（VGS = 10 V时）
- 低栅极电荷（典型值45 nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥拓扑的有源功率因数校正
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