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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 215A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 285W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 6.725nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。该先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 7A、650V，VGS = 10V时，RDS(on)最大值 = 1.10Ω
- 低栅极电荷（典型值26nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-电机驱动器-电池管理系统 (BMS)-高频开关和同步整流
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