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HYG035N10NS1P
N沟道增强型MOSFET,电流:180A,耐压:100V 停产
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG035N10NS1P
- 商品编号
- C2986717
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 223.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.294nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 168pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HX2310采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 100V/180A
- RDS(ON) = 3.2mΩ(典型值),VGS = 10V
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合 RoHS 标准)
应用领域
-功率开关应用-DC-DC 转换器-N 沟道 MOSFET