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HYG045N10NS1P
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:160A
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- 描述
- 特性：100V/160A，RDS(ON) = 3.8mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：功率开关应用。 不间断电源
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG045N10NS1P
- 商品编号
- C2986719
- 商品封装
- TO-220FB
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 117nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.877nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 107pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.087nF |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)）沟槽技术。
- 我们声明该产品的材料为无卤材料，且符合RoHS要求。