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HYG200N12NS1C2
N沟道增强型MOSFET,电流:60A,耐压:120V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG200N12NS1C2
- 商品编号
- C2986723
- 商品封装
- PDFN-8(5x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 333pF |
商品概述
UTC 2N65-LC1 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进技术，为客户提供最低导通电阻和卓越的开关性能。 UTC 2N65-LC1 通常应用于低功率开关模式电源设备和电子镇流器。
商品特性
- 在 VGS = 10V、ID = 1.0A 时，RDS(ON) ≤ 5.5 Ω
- 高开关速度
- 100% 雪崩测试
应用领域
- 低功率开关模式电源设备-电子镇流器
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